Titaniumonderdelen voor halfgeleiders

1. Controle op de vrijgave van zeer- lage onzuiverheden

We hanteren een verwerkingsschema voor keramisch gereedschap + ijzer-vrij gereedschap gedurende het hele productieproces. Alle hulpmaterialen die in contact komen met het werkstuk ondergaan drie rondes van zure waszuivering, waarbij het totale gehalte aan ijzer, chroom, enz. strikt wordt gecontroleerd om binnen 0,02% te blijven. Dit vermijdt volledig het veel voorkomende probleem van verontreiniging met metaalionen in halfgeleiderprocessen en voorkomt de vorming van overmatige metaalresten op het wafeloppervlak. Het vermindert het risico op kortsluiting in het circuit aan de materiaalzijde.

 

2. Corrosiebestendigheid op lange- termijn

Nadat het onderdeel is gevormd, zal het twee verschillende concentraties onderdompeling in een zwakke oxiderende oplossing ondergaan voor passivatie. Op het oppervlak wordt een uniforme 8-10 nm dikke titaniumdioxide-beschermfilm gegenereerd. Zelfs bij blootstelling aan verdunde oplossingen van fluorwaterstofzuur en salpeterzuur tijdens het halfgeleiderreinigingsproces gedurende 2000 uur onafgebroken, zal er geen putvorming optreden en zal er geen vuil op het wafeloppervlak krassen.

 

3. Hoge-precieze dimensionale stabiliteit

Tijdens de verwerking wordt bij het hele proces gebruik gemaakt van vloeibare stikstofspray voor een constante temperatuurregeling, waarbij de tijdens de verwerking gegenereerde vervorming binnen een straal van 0,003 mm wordt geregeld. Voordat de eindproducten de fabriek verlaten, ondergaan ze 24 uur per dag cyclustests bij hoge en lage temperaturen. Zelfs als er lange tijd in een halfgeleiderprocesomgeving op 180 graden wordt gewerkt, zal er geen vervorming optreden en geen vervorming blijven plakken. Het is niet nodig om regelmatig te demonteren en de uitlijningsnauwkeurigheid aan te passen.

 

4. Lage uitlaatsnelheid, geschikt voor vacuümomgevingen

Alle onderdelen worden eerst 48 uur lang vacuümgebakken op 120 graden voor een ontgassingsbehandeling. De waterdamp en kleine deeltjes die op het oppervlak zijn geadsorbeerd, worden volledig verwijderd. Nadat het in de halfgeleidervacuümkamer is geïnstalleerd, kan het de apparatuur helpen de beoogde vacuümgraad 25% sneller te bereiken dan het gebruik van gewone roestvrijstalen onderdelen, waardoor het tijdverlies bij het wachten op vacuümpompen wordt verminderd.

1. Wafelbakje voor PVD-opdampmachine

Wordt gebruikt om de te coaten siliciumwafel te ondersteunen. In de omgeving met hoge- temperaturen bij het sputteren van het doelmateriaal zal het titaniumonderdeel niet reageren met het sputtergas en geen overtollige onzuiverheden in de kamer vrijgeven, wat de uniformiteit van de metaalfilmlaag die op het waferoppervlak wordt afgezet met 5% kan verbeteren, waardoor het probleem van spaanlekkage veroorzaakt door onvoldoende dikte van de metaallaag wordt vermeden. Het is geschikt voor coatingproductievereisten van 28 nm en lager.

 

2. Wafeldragerrek voor natte reinigingsmachine

Bij het standaard RCA-reinigingsproces wordt het rack volledig ondergedompeld in sterk zure en sterk alkalische reinigingsoplossingen. Het titaniummateriaal zal niet worden gecorrodeerd en vuil produceren, en zal niet aan het wafeloppervlak blijven kleven waardoor deeltjesverontreiniging ontstaat. Het kan het percentage deeltjesdefecten bij het reinigen van wafers in één batch met 12% verminderen. Tegelijkertijd kan het lichte karakter van het rek ook de transmissiebelasting van de reinigingsmachine verminderen en het energieverbruik van de apparatuur verlagen.

 

3. Elektrodebevestigingsplaats voor ionenimplantatiemachine

Wordt gebruikt om de hoog-spanningselektroden in de machine te bevestigen. De niet-magnetische eigenschap van titanium zal het traject van de ionenbundel niet verstoren, waardoor de diepteafwijking van ionenimplantatie binnen een zeer klein bereik kan worden gecontroleerd, waardoor het probleem van een ongelijkmatige injectiedosis in het lokale gebied van de wafer wordt vermeden. Het verbetert de consistentie van de elektrische prestaties van de chip aanzienlijk.

 

4. Connectorflens voor halfgeleidervacuümpijpleiding

Het verbinden van verschillende delen van de vacuümleiding van de machine. De lage uitlaatsnelheid van titanium kan een hoge-schone vacuümomgeving in de pijpleiding handhaven en zal geen schommelingen in de vacuümgraad veroorzaken als gevolg van het vrijkomen van gas uit gewone roestvrijstalen flenzen na langdurig- gebruik. Het vermindert het aantal machine-uitschakelalarmen veroorzaakt door vacuümafwijkingen en verhoogt de continue bedrijfstijd van de productielijn met 30%.

1. Aanpassing van niet-standaardafmetingen

Dankzij ons eigen 5-assig bewerkingscentrum kunnen de lengte, breedte en hoogte van de onderdelen worden aangepast aan de installatieruimte van de bestaande halfgeleiderapparatuur van de klant. De klant hoeft de interface van de apparatuur niet aan te passen en het eerste monster kan binnen 7 dagen worden geleverd.

 

2. Aanpassing van de oppervlakteconditie

Afhankelijk van de vraag kunnen twee oppervlaktebehandelingsmethoden worden geselecteerd: spiegelpolijsten en mat zandstralen. Ze zijn geschikt voor verschillende reinheidseisen van het productieproces en kunnen deeltjeshechting voorkomen die de productieomgeving van halfgeleiders beïnvloedt.

 

3. Aanpassing van speciale interfaces

Speciale structuren zoals speciale kaartsleuven en positioneringsgaten kunnen worden aangepast om volledig te voldoen aan de montagevereisten van de zelf-ontwikkelde apparatuur van de klant. Er hoeven geen extra adaptercomponenten te worden toegevoegd.

Item	Specificatie
Productnaam	Titaniumonderdelen voor halfgeleiders
Materiaal	Zuiver titanium (klasse 2), titaniumlegering (klasse 5 Ti-6Al-4V)
Productieproces	CNC-bewerkingen, draaien, frezen, slijpen, lassen
Beschikbare vormen	Plaat, ring, buis, staaf, blok, aangepaste onderdelen
Afmetingen	Aangepast volgens tekeningen of monsters
Tolerantie	Tot ±0,01 mm
Oppervlakteafwerking	Gepolijst, gezandstraald, gebeitst, geanodiseerd, nauwkeurig machinaal bewerkt
Oppervlakteruwheid	Ra 0,2–1,6 μm (op maat verkrijgbaar)
Zuiverheid	Tot 99,6% (titanium klasse 2)
Bedrijfstemperatuur	Tot 400 graden
Dikte	4,51 g/cm³
Hardheid	Graad 2: HB 145–200; Graad 5: HRC 30–36
Corrosiebestendigheid	Uitstekende weerstand tegen zuren, logen en proceschemicaliën
Chemische compatibiliteit	Geschikt voor halfgeleiderchemicaliën en omgevingen met ultra-hoge zuiverheid
Inspectie	Dimensionale inspectie, materiaalcertificering, oppervlakte-inspectie

 

 

 

Populaire tags: titaniumonderdelen voor halfgeleiders, China titaniumonderdelen voor halfgeleiderfabrikanten, leveranciers, fabriek